IGBT有哪些主要形式和技術(shù)參數(shù)

IGBT有哪些主要形式和技術(shù)參數(shù)
IGBT產(chǎn)品有多種形式，主要分為模塊型和芯片型兩大類(lèi)。模塊化結(jié)構(gòu)有一單元（一個(gè)IGBT與一個(gè)續(xù)流二極管反向并聯(lián)）、二單元、四單元、六單元及七單元，高壓IGBT有模塊、平板和片狀I(lǐng)GBT元件。

IGBT的主要參數(shù)如下：
1、集電極-發(fā)射極額定電壓Uces。這是生產(chǎn)廠家根據(jù)器件的雪崩擊穿電壓而規(guī)定的電壓值，是柵極-發(fā)射極短路時(shí)IGBT能夠承受的耐壓值。一般Uces小于或等于雪崩擊穿電壓。
2、柵極-發(fā)射極額定電壓Uges。IGBT是電壓控制器件，靠加在柵極的電壓信號(hào)控制它的導(dǎo)通和判斷，而Uges就是柵極控制信號(hào)的電壓額定值。目前，IGBT的Uges值大部分為+20V。
3、額定集電極電流Ic。這個(gè)參數(shù)表示IGBT在導(dǎo)通時(shí)能流過(guò)管子的持續(xù)最大電流。目前，市場(chǎng)上IGBT模塊的電流可達(dá)1000A以上。
４、集電極-發(fā)射極飽和電壓Uce(sat)。這個(gè)參數(shù)給出IGBT在正常飽和導(dǎo)通時(shí)電極-發(fā)射極之間的電壓降，這個(gè)值越小，管子的功率損耗就越小。
5、開(kāi)關(guān)頻率。IGBT的一個(gè)非常重要的優(yōu)點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)頻率高。開(kāi)關(guān)頻率是以導(dǎo)通時(shí)間Ton、下降時(shí)間Tf和關(guān)斷時(shí)間Toff形式給出的，根據(jù)這些參數(shù)可估算出IGBT的開(kāi)關(guān)頻率。最新的IGBT產(chǎn)品有高速開(kāi)關(guān)系列和低導(dǎo)通電壓系列。一般IGBT的實(shí)際工作頻率都在100kHz以下，開(kāi)關(guān)頻率高是IGBT模塊的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)。

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