IGBT模塊的工作原理以及作用分析

　　一直我們都發(fā)布變頻器維修相關文章，最近接到很多客戶反映和支持，今天就詳細的解說IGBT模塊的工作原理以及作用特點，本文章所講解的IGBT模塊比較通俗易懂。

　　目前國內缺乏高質量IGBT模塊，幾乎全部靠進口。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是高壓開關家族中最為年輕的一位。由一個15V高阻抗電壓源即可便利的控制電流流通器件從而可達到用較低的控制功率來控制高電流。

　　IGBT模塊功能組成

　　IGBT模塊是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

　　IGBT模塊綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

　　IGBT模塊是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

　　IGBT就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V(大于6V，一般取12V到15V)時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是為了可靠關斷。

　　IGB模塊原理電路分析

　　IGBT模塊有三個端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓后，內部的電子發(fā)生轉移(半導體材料的特點，這也是為什么用半導體材料做電力電子開關的原因)，本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但是加上電壓后，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導電溝道，因為電子是可以導電的，變成了導體。如果撤掉加在GS兩端的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不可以導電了，變成了絕緣體。

　　若在IGB模塊T的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

　　由此可見，IGBT模塊在依照我們國內的技術也可能沒有達到市場的一般，我國的IGBT模塊依然是依賴進口滿足市場。